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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정운조 (조선이공대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제70권 제9호
발행연도
2021.9
수록면
1,321 - 1,326 (6page)
DOI
10.5370/KIEE.2021.70.9.1321

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In this study, using the AIP method, a TiAlN thin film was grown on a WC-5Co alloy using the buffer layer as TiAl, TiN, and CrN. The preferred orientation according to the XRD analysis showed a pattern with the growth directions of (111) and (110) in almost coating conditions. In the case of the thin film using TiN and CrN as buffer layers, (220) was more prominent than that of other specimens. The adhesion of the TiAlN layer showed a tendency to be affected by the buffer layer and surface roughness. The TiN buffer layer showed the highest adhesion of 130 [N], while the TiAl buffer layer showed a low adhesion of 20[N]. And to examine the high-temperature oxidation resistance, heat treatment was performed. In the case of the specimen using TiN and CrN as buffer layers and coating the TiAlN upper layer for 60 minutes, nitrogen was not replaced with oxygen even at 900[℃] and the nitride thin film was maintained as it is.
#TiAlN #TiN #Thin Film #Buffer Layer #AIP

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (2)

참고문헌 신청
G. E. Lane / 1975 / The nucleation and initial growth of gold films deposited onto sodium chloride by ion-beam sputtering / Thin Solid Films 26(1):5~23 google schola M. S. Shiao / 2001 / A formation mechanism for the macroparticles in arc ion-plated TiN films / Thin Solid Film 386(1):27~31 google schola

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