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In this study, a highly crystalline SnO2 thin film was formed using a sol?gel process. In addition, a SnO2 thin-film transistor was successfullyfabricated. The fabricated SnO2 thin-film transistor exhibited conventional n-type semiconductor properties, with a mobility of 0.1cm2 V-1 s-1, an on/off current ratio of 1.2 × 105 , and a subthreshold swing of 2.69. The formed SnO2 had a larger bandgap(3.95 eV) owing to the bandgap broadening effect. The fabricated photosensor exhibited a responsivity of 1.4 ×10-6 Jones, gain of 1.43 × 107 , detectivity of 2.75 ×10-6cm Hz1/2W-1, and photosensitivity of 4.67 ×102 .
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M. Razeghi / 1996 / A. Semiconductor ultraviolet detectors / J. Appl. Phys 79(10):7433~7473
T. Zhai / 2010 / Recent developments in one-dimensional inorganic nanostructures for photodetectors / Adv. Funct. Mater 20(24):4233~4248
Y. Kim / 2015 / Highperformance ultraviolet photodetectors based on solutiongrown ZnS nanobelts sandwiched between graphene layers / Sci. Rep 5:12345(1)~12345(8)
W. Y. Lee / 2019 / High Detectivity Flexible Near Infrared Photodetector Based on Chalcogenide Ag2Se Nanoparticles / Adv. Opt. Mater. 7:1900812(1)~1900812(7)
Y. Jin / 2008 / Solution-processed ultraviolet photodetectors based on colloidal ZnO Nanoparticles / Nano Lett 8(6):1649~1653
T. Zhai / 2010 / Recent developments in one-dimensional inorganic nanostructures for photodetectors / Adv. Funct. Mater 20(24):4233~4248
Y. Kim / 2015 / Highperformance ultraviolet photodetectors based on solutiongrown ZnS nanobelts sandwiched between graphene layers / Sci. Rep 5:12345(1)~12345(8)
W. Y. Lee / 2019 / High Detectivity Flexible Near Infrared Photodetector Based on Chalcogenide Ag2Se Nanoparticles / Adv. Opt. Mater. 7:1900812(1)~1900812(7)
Y. Jin / 2008 / Solution-processed ultraviolet photodetectors based on colloidal ZnO Nanoparticles / Nano Lett 8(6):1649~1653
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