Study on Oxidant in Chemical Mechanical Polishing of Copper

Xu Rui

추천

검색

자료유형: 학술저널

저자정보: Xu Rui (Henan Institute of Science and Technology)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제21권 제6호

발행연도: 2020.1

수록면: 580 - 586 (7page)

이용수

📌

연구주제

📖

연구배경

🔬

연구방법

🏆

연구결과

초록· 키워드

오류제보하기

In this paper, the polishing experiment of copper was carried out. According to the experimental data, when FeCl 3 was selected as oxidant, the material removal rate increases gradually with the increase of oxidant concentration. When other conditions remain unchanged, the material removal rate with larger abrasives was higher than that of smaller abrasives, and the material removal rate of pressure 3 psi was higher than that of pressure 2 psi, and the surface roughness became smaller and smaller. When the abrasive size was 1 μm, oxidant concentration was 5 g/L and the pressure was 3 psi, the material removal rate reaches 206.9 nm/min and the surface roughness reached 8 nm. When the type of oxidant was chosen as the variable, the material removal rate of the mixture of FeCl 3 and H 2 O 2 was the highest, the maximum removal rate was 105.45 nm/min when the abrasive size was 1 μm and polishing speed was 80 r/min. The surface roughness was the smallest when FeCl 3 was used as oxidant and Ra reaches the smallest 5 nm under the conditions of the abrasive size was 1 μm and polishing speed 80 r/min. The results can be used as a reference for further research the ingredients of polishing slurry in the chemical mechanical polishing of copper.

#Copper #Chemical mechanical polishing #Oxidant #Material removal rate #Surface roughness

참고문헌 (24)

참고문헌 신청

Z. Stavreva / 1995 / Chemical mechanical polishing of copper for multilevel metallization / Appl. Surf. Sci 91:192~196

T. Du / 2004 / The combinatorial eff ect of complexing agent and inhibitor on chemical-mechanical planarization of copper / Microelectron. Eng 71:90~97

P. Wrschkaa / 2000 / Chemical mechanical planarization of copper damascene structures / J Electrochemical Soc 147(2):706~712

X. Wang / 2002 / Study on Cu CMP slurry / Res. Progress SSE 22(3):318~320

C. Yan / 2017 / Integrated eff ects of colloidal silica abrasives with diff erent particle sizes on copper chemical mechanical planarization / Micronanoelectronic Technol 54(1):58~64

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

Xu Rui

소속기관 Henan Institute of Science and Technology

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 1 이용수 0

최근 본 자료

전체보기

구분	그룹	데이터 항목
AI 학습용 데이터	원문	원문 PDF 파일
AI 학습용 데이터	원문 + 메타 (기본/상세)	원문 PDF 파일 및 서지정보 CSV
대량 구매용 데이터	B2B 구독 방식	특정 자료 한정으로 원문 접근 권한 부여
대량 구매용 데이터	URL 전달 방식	바로 PDF 뷰어를 열람할 수 있는 URL 제공

구분	그룹	데이터 항목
AI 학습용 데이터	기본 메타	발행기관명, 간행물명, 권호명, 권(vol), 호(issue), 통권, 발행연도, 발행월, 논문명, 저자명, 시작페이지, 종료페이지, 전체페이지, 상세페이지URL
상세 메타 데이터	발행기관 메타	발행기관 이명, 영문명, 창립연도, 홈페이지URL, 발행기관 소개
	간행물 메타	부제목, 간행물 유형, ISSN, ISBN, 최초발행연도, 폐간연도, 간행빈도, 발행주기, 등재사항, 이용수, 피인용수, 권호수, 논문수, 표지이미지
	논문 메타	작성 언어, 부제목, 대등제목, 목차, 키워드, 초록, 이미지, 참고문헌, 이용수, 피인용수, 논문활용도, DBpia통합주제분류, KDC분류, DDC분류, 한국연구재단분류, UCI, DOI
	저자 메타	소속기관, 소속부서, 직급, 연구분야, 연구키워드, 이용수, 피인용수, 저자 논문활용도

구분	그룹	데이터 항목
※ 결합형/맞춤형 메타 데이터는 신청 내용에 따라 다양하게 제공 가능
이용순위 정보	주제분야별 많이 이용된 논문	“인문학”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	이용기관별 많이 이용된 논문	“중고등학교”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	세부기관별 많이 이용된 논문	“서울대학교”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	키워드별 많이 이용된 논문	“Chat GPT”에서 많이 이용된 논문 TOP100
키워드 정보	많이 이용된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 이용된 키워드
	많이 발행된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 발행된 키워드
	많이 검색된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 검색된 키워드
	연구 트렌드 키워드	특정 키워드 연관 연구동향 분석 데이터 키워드

논문 기본 정보

초록· 키워드

AI 요약

연구주제

연구배경

연구방법

연구결과

주요내용

목차

참고문헌 (24)

함께 읽어보면 좋을 논문

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

댓글(0)