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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
서준영 (동명대학교) 이현섭 (동명대학교)
저널정보
한국트라이볼로지학회 Tribology and Lubricants 한국윤활학회지 제35권 제6호
발행연도
2019.12
수록면
323 - 329 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (12)

2020

사파이어 웨이퍼링 공정에서 랩그라인딩 조건이 CMP결과에 미치는 영향
서준영 기계시스템공학과 2020.01 학위논문

2019

랩그라인딩 후 사파이어 웨이퍼의 표면거칠기가 화학기계적 연마에 미치는 영향
서준영 ,  이현섭 Tribology and Lubricants 2019.12 학술저널
사파이어 랩그라인딩 시 자유입자의 사용이 화학기계적 연마 결과에 미치는 영향
서준영 ,  김태경 ,  손준규 외 1명 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2019.10 학술대회자료
사파이어 웨이퍼링 공정에서 랩그라인딩과 화학기계적 연마 연계 공정에 관한 연구
서준영 ,  김태경 ,  손준규 외 1명 한국트라이볼로지학회 학술대회 2019.10 학술대회자료
랩그라인딩 압력에 따른 CMP 공정 결과에 대한 연구
서준영 ,  김태경 ,  손준규 외 1명 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2019.05 학술대회자료
사파이어 랩그라인딩 후 CMP공정에 관한 연구 : 랩그라인딩 연마액 희석비의 영향
서준영 ,  김태경 ,  손준규 외 1명 한국트라이볼로지학회 학술대회 2019.04 학술대회자료

2018

실리카 슬러리 희석비가 사파이어 기판의 랩그라인딩 결과에 미치는 영향
서준영 ,  김태경 ,  손준규 외 1명 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2018.10 학술대회자료
압력 변화가 사파이어 기판의 랩그라인딩 결과에 미치는 영향
서준영 ,  김태경 ,  손준규 외 1명 한국트라이볼로지학회 학술대회 2018.10 학술대회자료
회전속도가 사파이어 기판의 랩그라인딩 결과에 미치는 영향
서준영 ,  김태경 ,  손준규 외 1명 한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집 2018.10 학술대회자료
사파이어 기판의 랩 그라인딩 공정에서 실리카 입자크기에 따른 표면거칠기 안정화에 관한 연구
서준영 ,  김태경 ,  이현섭 대한기계학회 춘추학술대회 2018.05 학술대회자료
DLG 공정에서 실리카 입자크기에 따른 사파이어 기판의 연마에 미치는 영향에 관한 연구
서준영 ,  김태경 ,  이현섭 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2018.05 학술대회자료
사파이어 웨이퍼의 양면랩그라인딩 공정에서 실리카 입자의 영향에 관한 연구
서준영 ,  김태경 ,  이현섭 한국트라이볼로지학회 학술대회 2018.04 학술대회자료

초록· 키워드

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Sapphire is currently used as a substrate material for blue light-emitting diodes (LEDs). The market for sapphire substrates has expanded rapidly as the use of LEDs has extended into various industries. However, sapphire is classified as one of the most difficult materials to machine due to its hardness and brittleness. Recently, a lap-grinding process has been developed to combine the lapping and diamond mechanical polishing (DMP) steps in a single process. This paper studies, the effect of wafer surface roughness on the chemical mechanical polishing (CMP) process by pressure and abrasive concentration in the lap-grinding process of a sapphire wafer. In this experiment, the surface roughness of a sapphire wafer is measured after lap-grinding by varying the pressure and abrasive concentration of the slurry. CMP is carried out under pressure conditions of 4.27 psi, a plate rotation speed of 103 rpm, head rotation speed of 97 rpm, and slurry flow rate of 170 ml/min. The abrasive concentration of the CMP slurry was 20wt, implying that the higher the surface roughness after lap-grinding, the higher the material removal rate (MRR) in the CMP. This is likely due to the real contact area and actual contact pressure between the rough wafer and polishing pad during the CMP. In addition, wafers with low surface roughness after lap-grinding show lower surface roughness values in CMP processes than wafers with high surface roughness values; therefore, further research is needed to obtain sufficient surface roughness before performing CMP processes.
#sapphire wafer(사파이어 웨이퍼) #lap-grinding(랩그라인딩) #chemical mechanical polishing(화학기계적연마) #surface roughness(표면거칠기)

목차

Abstract
1. 서론
2. 연구방법 및 내용
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
Holonyak, N. Jr. / 1962 / Coherent (visible) light emission from Ga(As1-xPx) junctions / Appl. Phys. Lett. 1:82~83 google schola Lee, H. / 2012 / Macroscopic and microscopic investigation on chemical mechanical polishing of sapphire wafer / J. Nanosci. Nanotechnol. 12(2):1256~1259 google schola Zhu, H. / 2004 / Chemical mechanical polishing (CMP) anisotropy in sapphire / Appl. Surf. Sci. 236(1-4):120~130 google schola 이현섭 / 2019 / 화학기계적 연마기술 연구개발 동향: 입자 거동과 기판소재를 중심으로 / 한국윤활학회지 35(5):274~285 dbpia 김동균 / 2016 / 냉각수 유량에 따른 양면 랩그라인딩 정반의 전열특성 / 한국윤활학회지 32(2):50~55 dbpia

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