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뉴로모픽 소자 초기 단계인 저항 변화형 메모리 소자의 제작 공정으로, 진공 공정의 연속성을 유지하였고, 고집적, 고신뢰성을 보장하는 뉴로모픽 컴퓨팅을 위한 저항 변화 메모리 소자 제작 및 공정 기술에 적합한 플라즈마 모듈을 적용하였다. 플라즈마 모듈을 적용한 저항메모리(ReRAM) 소자의 제작과 연구는 ReRAM 소자 기반의 TiO2/TiOx 산화물박막의 제작방법과 소재의 변화를 통한 다양한 실험을 통하여 완성되었다. XRD를 이용하여 rutile결정을 측정하였고, 반도체 파라미터 측정기로 저항 메모리의 HRS : LRS 비율이 2.99 × 103 이상이고, 구동 전압 측정이 0.3 V이하에서 구동이 가능한 저항 변화형 메모리 소자의 제작을 확인 하였다. 산소 플라즈마 모듈을 적용한 뉴로모픽 저항메모리 제작과 TiOx 박막을 증착하여 성능을 확인하였다.
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W. W. Zhuanget / 2002 / Novel colossal magnetoresistive thin film nonvolatile resistance random access memory (RRAM) / Digest. International Electron Devices Meeting :193~196
Masayuki Terai / 2010 / Memory-State Dependence of Random Telegraph Noise of $ \hbox{Ta}_{2}\hbox{O}_{5}/\hbox{TiO}_{2}$ Stack ReRAM / IEEE Electron Device Letters
Shuhei Tanakamaru / 2014 / NAND Flash Memory/ReRAM Hybrid Unified Solid-State-Storage Architecture / IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 61(4):1119~1132
Jubong Park / 2011 / Multibit Operation of $\hbox{TiO}_{x}$ -Based ReRAM by Schottky Barrier Height Engineering / IEEE Electron Device Letters 32(4):476~478
Maria Trapatseli / 2017 / Impact of ultra-thin Al 2 O 3– y layers on TiO 2– x ReRAM switching characteristics / Journal of Applied Physics 121(18):184505
Masayuki Terai / 2010 / Memory-State Dependence of Random Telegraph Noise of $ \hbox{Ta}_{2}\hbox{O}_{5}/\hbox{TiO}_{2}$ Stack ReRAM / IEEE Electron Device Letters
Shuhei Tanakamaru / 2014 / NAND Flash Memory/ReRAM Hybrid Unified Solid-State-Storage Architecture / IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 61(4):1119~1132
Jubong Park / 2011 / Multibit Operation of $\hbox{TiO}_{x}$ -Based ReRAM by Schottky Barrier Height Engineering / IEEE Electron Device Letters 32(4):476~478
Maria Trapatseli / 2017 / Impact of ultra-thin Al 2 O 3– y layers on TiO 2– x ReRAM switching characteristics / Journal of Applied Physics 121(18):184505
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