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자료유형
학술저널
저자정보
Nackgyun Seong (한양대학교) Yohan Jang (한양대학교) Jaehoon Choi (한양대학교)
저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of The Korea Electromagnetic Engineering Society Vol.11 No.1
발행연도
2011.3
수록면
27 - 33 (7page)

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In this paper, we propose a high gain, current reused ultra wideband (UWB) low noise amplifier (LNA) that uses TSMC 0.18 ㎛ CMOS technology. To satisfy the wide input matching and high voltage gain requirements with low power consumption, a resistive current reused technique is utilized in the first stage. A π-type LC network is adopted in the second stage to achieve sufficient gain over the entire frequency band. The proposed UWB LNA has a voltage gain of 12.9～18.1 ㏈ and a noise figure (NF) of 4.05～6.21 ㏈ over the frequency band of interest (1～10 ㎓). The total power consumption of the proposed UWB LNA is 10.1 ㎽ from a 1.4 V supply voltage, and the chip area is 0.95×0.9 ㎜.
#Low Noise Amplifier #Low Power Consumption #Current Reused Technique #Ultra Wideband #π-Type LC Network

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. LNA Circuit Design
Ⅲ. Measurement Results
Ⅳ. Conclusion
References

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