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자료유형
학술저널
저자정보
Tae Min Kim (Samsung Electronics Co. Ltd.) Hyun Sik Sim (Samsung Electronics Co. Ltd.) Jae Wook Jeon (Samsung Electronics Co. Ltd.)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.17 No.3
발행연도
2021.1
수록면
250 - 259 (10page)

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In recent DRAM processes, obtaining the maximum capacitor presents a diffi cult challenge. Also, the aspect ratio continuallyincreases during the process. To address these issues, the thickness of the top and bottom layers must be constant. However,the thickness is not constant due to the time diff erence between the bottom and top processes, and because the source changesin each step. To solve this problem, the same reaction should occur at all times while the density of the gas at the bottom andtop is gradually changed. In this study, a new vaporizer is developed and evaluated to ensure a constant rate of density changeand a rapid vaporization response of the liquid source. To develop a vaporizer that responds quickly, we experimentally evaluatedthe structures of the vaporizer’s showerhead and vaporizing part. To keesp the density of the liquid source for evaporationconstant, several holes were made in the showerhead from which the evaporation source is discharged. Also, to ensurea constant fl ow of liquid to the chamber where the source droplet meets the carrier gas, a helical structure was proposed andevaluated. In addition, using an orifi ce, the pressure was decreased to increase the vaporization effi ciency. As a result, the settlingtime decreased from 10 to 3 s, overshooting decreased from 25 to 1%, and fl ow fl uctuation decreased from 2.6 to 1.8%. Therefore, this new vaporizer is well-adapted to the process of new devices and provides greater capacitance design margins.
#Vaporizer · Precursor · TEOS · Critical dimension · CVD

목차

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참고문헌 (13)

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J. A. Mandelman / 2002 / Challenges and future directions for the scaling of dynamic random-access memory (DRAM) / IBM Journal of Research and Development 46(2.3):187~212 Crossref Xuemei Mu / 2016 / Molybdenum Dioxide-Anchored Graphene Foam as a Negative Electrode Material for Supercapacitors / Electronic Materials Letters 12(2):296~300 dbpia Deal, B. E. / 1965 / General relationship for the thermal oxidation of silicon / J. Appl. Phys 36(12):3770~3778 google schola Sang-Soo Chee / 2020 / Aspect Ratio Control of Copper Nanowire via Solution Process and Its Flexible Transparent Conductive Electrode Applications / Electronic Materials Letters 16(4):404~410 dbpia Y.H. Tsai / 1989 / Investigation on the flow properties of BPSG films / International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications :83~88 google schola

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