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저자정보
김현 (부산대학교 재료공학부) 이재기 (한국전기연구원) 박수동 (한국전기연구원) 류병기 (한국전기연구원) 이지은 (한국전기연구원) 김봉서 (한국전기연구원) 민복기 (한국전기연구원) 주성재 (한국전기연구원) 이희웅 (한국전기연구원) 조영래 (부산대학교)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.2
발행연도
2016.1
수록면
290 - 295 (6page)

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We found that Na is a good source to develop twin structures in the Bi-Te system, such as Ag as noted in a previous study. The twinboundaries had a considerable influence on reductions of the latticethermal conductivity due to phonon scattering by the nano-orderedlayers and on reductions of the electrical resistivity owing to thedefects generated by the substitution of Na into the cation sites. Here,we report the enhanced thermoelectric properties of a Na-doped p-typeBi0.5Sb1.5Te3 alloy. Measurements show that the electrical resistivityand the Seebeck coefficient decrease with Na doping due to anincrease in the free carrier (hole) concentration and that the latticethermal conductivity decreases with Na doping. The achievedmaximum ZT value was 1.20 at 423 K, which is approximately 20%higher than that of Bi0.5Sb1.5Te3 under the same fabrication conditions. These results were achievable by controlling the morphology of thetwin structure and the carrier concentration by means of Na doping.

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R. C. Saxena / 2009 / Renew. Sust. Energ. Rev 13:167 google schola G. J. Snyder / 2008 / Nat. Mater 7:105 google schola B. C. Sales / 2002 / Science 295:1248 google schola 이지은 / 2014 / Enhancement of Thermoelectric Properties of Mg2Si Compounds with Bi Doping through Carrier Concentration Tuning / Electronic Materials Letters 10(4):807~811 Crossref B. Poudel / 2008 / Science 320:634 google schola

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