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학술저널
저자정보
Ashutosh Sharma (University of Seoul Korea) 정도현 (서울시립대학교 신소재공학과) 노명훈 (서울시립대학교) 정재필 (서울시립대학교)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.6
발행연도
2016.1
수록면
856 - 863 (8page)

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In this study, lead free Sn-3.5Ag solder bumps have been depositedon Cu-filled through-silicon via (TSV) by electroplating method. Thesolder bumps are plated using an acidic solution composed of SnSO4,H2SO4, Ag2SO4, thiourea and an additive. The current density isvaried from −30 to −60 mA/cm2 to obtain the eutectic Sn-3.5Agsolder. The copper is electroplated in TSV using an acidic solution ofCuSO4·5H2O, H2SO4, HCl, and an inhibitor. The bottom-up Cufillingin TSV is achieved by a 3-step pulse periodic reverse (PPR)electroplating. It has been observed that the eutectic Sn-3.5Ag solderis achieved at a current density of −55 mA/cm2. The solder bumps arefurther reflowed onto TSV at 260 °C for 20 seconds, and shearstrength of the formed Sn-3.5Ag/Cu-filled TSV joint is investigated. The results indicate the formation of Cu6Sn5 and Ag3Sn intermetalliccompounds (IMCs) at the joint interface. It is found that with anincrease of shear speed from 0.5-10 mm/s, the shear stress initiallyincreases to a maximum, and then decreases beyond shear speed of10 mm/s through 500 mm/s. It is shown that the ductile fracture modegradually decreases beyond shear speed of 10 mm/s and disappearscompletely at 500 mm/s.

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K. Takahashi / 2003 / Microelectron. Reliab 43:1267 google schola T. C. Tsai / 2012 / Microelectron. Eng 92:29 google schola J. V. Olmen / 2011 / Microelectron. Eng 88:745 google schola M. H. Roh / 2011 / JWJ 29:295 google schola R. Hon / 2005 / Proc. IEEE 2005 Electronics Packaging Technology Conference :384 google schola

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