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The passivation characteristics of TOPCon structure depending on the auger recombination and the tunnel oxide passivation quality. The dopant in-diffusion from doped polysilicon to substrate induces a band bending by forming a shallow junction underneath a surface of the substrate. The band bending can reflect minority carriers then improve selectivity of the TOPCon structure. Also, the tunnel oxide (SiOx) is known to contribute to the selectivity improvement. In this work, we analyzed the passivation characteristics of tunnel oxide passive contact (TOPCon) by inserting different thickness of the intrinsic polysilicon (i-poly-Si) between tunnel oxide and phosphorus doped polysilicon (n-poly-Si). We fabricated a SiOx/i-poly-Si/n-poly-Si structure by LPCVD with in-situ method. The inserting i-poly-Si between SiOx and n-poly-Si can restrict the dopant in-diffusion from doped polysilicon to subs ... 전체 초록 보기
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