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학술저널
저자정보
Mengmeng Chu (성균관대학교 태양광시스템공학협동과정) Muhammad Quddamah Khokhar (Sungkyunkwan University) Hasnain Yousuf (성균관대학교) Xinyi Fan (Interdisciplinary Program in Photovoltaic System Engineering Sungkyunkwan University) 한승용 (성균관대학교 태양광시스템협동과정) 김영국 (성균관대학교) Suresh Kumar Dhungel (성균관대학교) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제36권 제3호
발행연도
2023.5
수록면
233 - 240 (8page)

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p-type Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPCon) solar cell is fabricated with a poly-Si/SiOx structure. It simultaneously achieves surface passivation and enhances the carriers’ selective collection, which is a promising technology for conventional solar cells. The quality of passivation is depended on the quality of the tunnel oxide layer at the interface with the c-Si wafer, which is affected by the bond of SiO formed during the subsequent annealing process. The highest cell efficiency reported to date for the laboratory scale has increased to 26.1%, fabricated by the Institute for Solar Energy Research. The cells used a p-type float zone silicon with an interdigitated back contact (IBC) structure that fabricates poly-Si and SiOx layer achieves the highest implied open-circuit voltage (iVoc) is 750 mV, and the highest level of edge passivation is 40%. This review presentsan overview of p-type TOPCon technologies, including the ultra-thin silicon oxide layer (SiOx) and poly-silicon layer (poly-Si), as well as the advancement of the SiOx and poly-Si layers. Subsequently, the limitations of improving efficiency are discussed in detail. Consequently, it is expected to provide a basis for the simplification of industrial mass production.
#p-type TOPCon #Silicon oxide #Polysilicon #Efficiency improving

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