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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.11
- 수록면
- 153 - 154 (2page)
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스핀 궤도 토크 자기메모리 (SOT-MRAM)는 다른 자기 메모리 보다 더 적은 쓰기 에너지로 인하여 최근 가장 많은 주목을 받고 있으며 이에 따라서 대용량 메모리, 뉴로모픽 하드웨어, 사물인터넷기기 (IoT device) 등 다양한 분야에서 응용될 것으로 기대되고 있다. 특히, SRAM 기반 L3 cache는 공정 감소로 인한 누설 전력으로 인하여 어려움을 겪고 있는데 SOT-MRAM으로 대체할 경우 낮은 누설 전력으로 기존의 문제를 해결할 수 있다. 본 연구에서는 그림 1에 나와 있는 SOT 소자 파라미터를 기반으로 SOT-MRAM회로 및 시스템 시뮬레이션을 통해 SOT-MRAM 기반 cache 에너지를 SRAM 기반 cache와 비교하였다. 소자-회로 통합 시뮬레이션을 위해 SPICE language 기반 모델링을 구축하였으며, SOT-MRAM macro 설계를 통해 SOT-MRAM의 쓰기/읽기/누설 에너지를 측정하였다. 또한, Gem5 시뮬레이션을 통해 cache의 access pattern을 산출하여 SRAM 및 SOT-MRAM 기반 ... 전체 초록 보기
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