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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.12
- 수록면
- 116 - 116 (1page)
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반도체 소자의 집적도가 높아지며 그에 따라 패턴간 선폭이 지속적으로 줄고 있다. 이러한 나노 단위의 소자 식각을 위해서는 selectivity, etch profile, chemical damage 등 다양한 공정 issue가 존재한다. 이러한 조건들을 만족시키기 위해서는 플라즈마에서 생성되는 ion과 radical의 정확한 제어를 필요로 한다. Reactive Ion Etching (RIE) 공정 중에 플라즈마 방전으로 인해 발생되는 것들 중 Ion의 경우 소스 및 바이어스 전압을 조절하여 전기적으로 제어할 수 있지만 radical의 방향은 이러한 방법으로는 제어할 수 없다. 이러한 이유로 radical은 식각하고자 하는 부분의 하단부 및 측면까지 영향을 미치며 이의 경우 식각 공정 중 패턴 측면부에 화학적 손상을 유발할 수 있다. 패턴의 크기가 줄어듬에 따라 radical에 의한 손상은 더 큰 영향을 주며, radical이 이온과는 독립적으로 제어될 필요성이 증가하^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE11030552');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
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