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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 32 - 35 (4page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2022.59.6.32
이용수
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저전력 고집적 메모리 반도체의 발전을 위해 센스앰프의 오프셋을 감소시키는 것이 중요하다. 본 논문에서는 오프셋에 의한 sensing fail rate를 감소시키기 위해 Separated Driving-node Sense Amplifier (SDSA)를 제안하였다. Conventional VLSA에서 구동 라인을 분리하여 동작하는 방법으로 0.9V, 동일한 면적에서 sensing fail rate는 70% 이상 감소하고, 면적 증가에 따른 sensing fail rate 감소 효과는 15% 이상 상승하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
M. J. M. Pelgrom, A. C. J. Duinmaijer and A. P. G. Welbers, "Matching properties of MOS transistors," in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 24, no. 5, pp. 1433-1439, Oct. 1989.
M. J. Lee, "A Sensing Noise Compensation Bit Line Sense Amplifier for Low Voltage Applications," in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 46, no. 3, pp. 690-694, March 2011.
J. Moon and B. Chung, "Sense amplifier with offset mismatch calibration for sub 1-V DRAM core operation," 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2010, pp. 3501-3504.
Lee, Joong-Ho. "The noise impacts of the open bit line and noise improvement technique for DRAM" Journal of IKEEE 17, 3 (2013): 260-266.
D. Y. Kim, G. Kim, J. H. Park, S. Y. Kim, J. W. Park, M. J. Lee. "Bit-Line Sense Amplifier with Reduced Offset" Autumn Annual Conference of IEIE, pp. 1074-1076, Inchon, Korea, Nov. 2021.
M. J. Lee, "A Sensing Noise Compensation Bit Line Sense Amplifier for Low Voltage Applications," in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 46, no. 3, pp. 690-694, March 2011.
J. Moon and B. Chung, "Sense amplifier with offset mismatch calibration for sub 1-V DRAM core operation," 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2010, pp. 3501-3504.
Lee, Joong-Ho. "The noise impacts of the open bit line and noise improvement technique for DRAM" Journal of IKEEE 17, 3 (2013): 260-266.
D. Y. Kim, G. Kim, J. H. Park, S. Y. Kim, J. W. Park, M. J. Lee. "Bit-Line Sense Amplifier with Reduced Offset" Autumn Annual Conference of IEIE, pp. 1074-1076, Inchon, Korea, Nov. 2021.
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