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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김동영 (전남대학교) 김건 (전남대학교) 박진효 (전남대학교) 김수연 (전남대학교) 박제원 (전남대학교) 이명진 (전남대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제59권 제6호(통권 제535호)
발행연도
2022.6
수록면
32 - 35 (4page)
DOI
10.5573/ieie.2022.59.6.32

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저전력 고집적 메모리 반도체의 발전을 위해 센스앰프의 오프셋을 감소시키는 것이 중요하다. 본 논문에서는 오프셋에 의한 sensing fail rate를 감소시키기 위해 Separated Driving-node Sense Amplifier (SDSA)를 제안하였다. Conventional VLSA에서 구동 라인을 분리하여 동작하는 방법으로 0.9V, 동일한 면적에서 sensing fail rate는 70% 이상 감소하고, 면적 증가에 따른 sensing fail rate 감소 효과는 15% 이상 상승하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (6)

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