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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.6
- 수록면
- 622 - 625 (4page)
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HfO₂ is currently attracting attention as the most promising dielectric in the semiconductor device field. In addition, HfO2 can implement ferroelectricity by doping nitrogen or the like, so it can be used as a material for FeRAM, the most promising ferroelectric memory among the next-generation memories. A dielectric breakdown ouccurs when a voltage is applied above a certain level, and this phenomenon is studied in connection with the process conditions that implement ferroelectricity.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험 결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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