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이 논문의 연구 히스토리 (3)
2023
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ZnO single layer (60 nm thick) and ZnO with Ag interlayer (ZnO/Ag/ZnO; ZAZ) films were deposited on the glass substrates by using radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputter to evaluate the effectiveness of Ag interlayer on the optical visible transmittance and the conductivity of the films. In the ZAZ films, the thickness of ZnO layers was kept at 30 nm, while the Ag thickness was varied as 5, 10, 15 and 20 nm.
In X-ray diffraction (XRD) analysis, ZnO films show the (002) diffraction peak and ZAZ films also show the weak ZnO (002) peak and Ag (111) diffraction peak. As a thickness of Ag interlayer increased to 20 nm, the grain size of the Ag films enlarged to 11.42 nm and the optical band gap also increased from 4.15 to 4.22 eV with carrier concentration increasing from 4.9 to 10.5×10<SUP>21</SUP> cm<SUP>-3</SUP>. In figure of merit measurements, the ZAZ films with a 10 nm thick Ag interlayer showed the higher figure of merit of 4.0×10<SUP>-3</SUP> Ω<SUP>-1</SUP> than the ZnO single layer and another ZAZ films. From the experimental result, it is assumed that the Ag interlayer enhanced effectively the opto-electrical performance of the ZAZ films.
In X-ray diffraction (XRD) analysis, ZnO films show the (002) diffraction peak and ZAZ films also show the weak ZnO (002) peak and Ag (111) diffraction peak. As a thickness of Ag interlayer increased to 20 nm, the grain size of the Ag films enlarged to 11.42 nm and the optical band gap also increased from 4.15 to 4.22 eV with carrier concentration increasing from 4.9 to 10.5×10<SUP>21</SUP> cm<SUP>-3</SUP>. In figure of merit measurements, the ZAZ films with a 10 nm thick Ag interlayer showed the higher figure of merit of 4.0×10<SUP>-3</SUP> Ω<SUP>-1</SUP> than the ZnO single layer and another ZAZ films. From the experimental result, it is assumed that the Ag interlayer enhanced effectively the opto-electrical performance of the ZAZ films.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
M. Yahya, M. R. Fadavieslam, The effects of argon plasma treatment on ITO properties and the performance of OLED devices, Opt. Mater., 120 (2021) 111400.
B, Barman, S. Kumar, V. Dutta, Fabrication of highly conducting ZnO/Ag/ZnO and AZO/Ag/AZO transparent conducting oxide layers using RF magnetron sputtering at room temperature, Mater. Sci. Semicond. Process, 129 (2021) 105801.
B. He, J. Xu, H. Z. Xing, C. R. Wang, X. D. Zhang, The effect of substrate temperature on high quality c-axis oriented AZO thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering for photoelectric device applications, Superlattices Microstruct., 64 (2013) 319-330.
M. Alauddin, J. K. Song, S. M. Park, Effects of aluminum doping and substrate temperature on zinc oxide thin films grown by pulsed laser deposition, Appl. Phys. A, 101 (2010) 707-711.
S. B. Koo, C. M. Lee, S. J. Kwon, J. M. Jeon, J. Y. Hur, H. K. Lee, Study on aging effect of adhesion strength between polyimide film and copper layer, Met. Mater. Int., 25 (2019) 117-126.
B, Barman, S. Kumar, V. Dutta, Fabrication of highly conducting ZnO/Ag/ZnO and AZO/Ag/AZO transparent conducting oxide layers using RF magnetron sputtering at room temperature, Mater. Sci. Semicond. Process, 129 (2021) 105801.
B. He, J. Xu, H. Z. Xing, C. R. Wang, X. D. Zhang, The effect of substrate temperature on high quality c-axis oriented AZO thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering for photoelectric device applications, Superlattices Microstruct., 64 (2013) 319-330.
M. Alauddin, J. K. Song, S. M. Park, Effects of aluminum doping and substrate temperature on zinc oxide thin films grown by pulsed laser deposition, Appl. Phys. A, 101 (2010) 707-711.
S. B. Koo, C. M. Lee, S. J. Kwon, J. M. Jeon, J. Y. Hur, H. K. Lee, Study on aging effect of adhesion strength between polyimide film and copper layer, Met. Mater. Int., 25 (2019) 117-126.
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