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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김미진 (부산대학교) 유다희 (부산대학교) 이호준 (부산대)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제72권 제2호
발행연도
2023.2
수록면
207 - 211 (5page)
DOI
10.5370/KIEE.2023.72.2.207

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2023

Power Cycling Test를 통한 4H-SiC MOSFETs의 계면 열화 분석
김미진 ,  유다희 ,  이호준 전기학회논문지 2023.02 학술저널
Power Cycling Test를 통한 4H-SiC MOSFETs discrete 소자의 수명 예측 및 불량 분석
김미진 전기전자공학과 2023.01 학위논문

초록· 키워드

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In this paper, we performed a power cycling test (PCT) under harsh operating conditions, such as an average junction temperature (T<SUB>jm</SUB>) of 120°C and a junction temperature gradient (ΔT<SUB>j</SUB>) of 110°C to analyze the degradation characteristics of commercial 4H-SiC MOSFETs. For accurate analysis, various electrical characteristics such as output curve, transfer curve, gate leakage current curve, and voltage-capacitance curve were measured before and after PCT and were compared. In addition, transmission electron microscopy (TEM) and simulation were utilized. Both voltage-capacitance curves and TEM images after PCT show degradation of the SiO₂/SiC interface.
#Silicon Carbide #4H-SiC MOSFETs #Power semiconductor #Power Cycling Test #Interfacial degradation

목차

Abstract
1. Introduction
2. Test setup
3. Results and Discussion
4. Conclusion
References

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