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Sheng Yu (성균관대학교) Matheus Rabelo (성균관대학교) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제23권 제4호
발행연도
2022.8
수록면
327 - 336 (10page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-022-00398-5

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Single-junction (SJ) silicon (Si)-based solar cells are currently widely used in the photovoltaic (PV) industry due to their low cost and rapid industrialization, but their low efficiency (theoretical efficiency limit of 29.4%) is the most significant factor preventing their further expansion. Multi-junction (MJ) solar cells may be a key way to break the effi ciency limit of SJ Si-based solar cells since the approach can take full advantage of different PV materials. To overcome the disadvantages of other types of solar cells and improve the cell efficiency of solar cells, a new MJ solar cell, the III-V/Si tandem solar cell, was fabricated. This article reviews the development of III-V/Si tandem solar cells and briefly describes the three major terminal confi gurations and the three growth mechanisms of III-V compounds on Si substrates. Finally, we present four methods that characterize the performance of III-V/Si tandem solar cells and compare the advantages and disadvantages of these four methods.

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