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자료유형
학술저널
저자정보
Gil Su Jang (Seoul National University) Seon Mi Ahn (Seoul National University) Nong-Moon Hwang (Seoul National University)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.18 No.1
발행연도
2022.1
수록면
57 - 68 (12page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s13391-021-00314-8

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Effects of sputtering power, working pressure, and bias on the growth rate, crystallinity, and resistivity of Ag thin filmsdeposited by direct current (DC) magnetron sputtering were investigated. Thin films were deposited on the substrate underthe electric biases of ? 300, 0, and + 300 V for 30 min with sputtering powers of 20, 50, 100, and 200 W and working pressuresof 2.5, 5, 10, and 20 mTorr. Under all sputtering powers, the growth rate of the thin film was increased by the positivebias, whereas it was decreased by the negative bias. For example, the film thicknesses were 345.7, 377.9, and 416.0 nmat ? 300, 0, and + 300 V, respectively, at a sputtering power of 100 W and a working pressure of 2.5 mTorr. The bias effectwas enhanced as the working pressure decreased. Considering the change of the film growth rate according to the bias, theamount of negatively charged flux was estimated to be roughly 10%. As the working pressure decreased, the crystallinity ofthe deposited films increased by the positive bias whereas it decreased by the negative bias, which is indicated by the fullwidth at half maximum (FWHM) determined by X-ray diffraction of the Ag (111) peak. The film resistivity had the sametendency. This change in the deposition behavior of the Ag film can be understood as the effect of the charged flux.
#Working pressure · Sputtering power · DC sputtering · Ag films · Substrate bias · Charged flux

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