FS-GaN을 열산화하여 제작된 Beta-Ga2O3 박막의 특성

손호기; 이영진; 이미재; 김진호; 전대우; 황종희; 이혜용

doi:https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.7.427

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저자정보: 손호기 (한국세라믹기술원) 이영진 (한국세라믹기술원) 이미재 (한국세라믹기술원) 김진호 (한국세라믹기술원) 전대우 (한국세라믹기술원) 황종희 (한국세라믹기술원) 이혜용 ((주)루미지엔테크)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제7호

발행연도: 2017.7

수록면: 427 - 431 (5page)

DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.7.427

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β-Ga2O3 박막은 FS-GaN을 열산화하여 제작되었다. 먼저, FS-GaN은 수직형 HVPE를 이용하여 사파이어 기판 위에 GaN을 성장하였고 laser lift off (LLO) 방법으로 GaN과 사파이어 기판을 분리하여 준비하였다. β-Ga2O3 박막을 얻기 위해서 FS-GaN을 900~1100℃에서 열산화시켰다. 제작된 β-Ga2O3 박막의 표면과 단면은 FE-SEM으로 측정하였다. 단결정이었던 FS-GaN에서 다결정의 β-Ga2O3 박막이 관찰되었고 산화온도가 1100℃에서는 막이 분리되었다. 생성된 β-Ga2O3 박막의 두께는 100 ~ 1200 nm로 산화시간이 늘어남에 따라서 증가하였다. 결정구조는 2 theta XRD를 통해서 β-Ga2O3 피크인 (-201)(-402)(-603)의 피크를 관찰하였다. 피크의 강도는 시간이 증가할수록 커지는 것도 확인하였다. 또한 라만 측정에서는 416 cm-1 부근에서 β-Ga2O3 피크인 Ag(6) 피크를 확인 할 수 있었다.

#FS-GaN #Ga2O3 #Oxidation #Refractive index

참고문헌 (15)

참고문헌 신청

Krzysztof Kachel / 2012 / A new approach to free-standing GaN using β-Ga2O3 as a substrate / CrystEngComm 14(24):8536

D.Y. Guo / 2016 / Epitaxial growth and solar-blind photoelectric properties of corundum-structured α -Ga 2 O 3 thin films / Materials Letters 164:364~367

L. X. Qian / 2016 / Vacuum 39:1

Ching-Ting Lee / 2003 / Metal–oxide–semiconductor devices using Ga2O3 dielectrics on n-type GaN / Applied Physics Letters 82(24):4304~4306

Rikiya Suzuki / 2011 / Solar-blind photodiodes composed of a Au Schottky contact and a β-Ga2O3 single crystal with a high resistivity cap layer / Applied Physics Letters 98(13):131114

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