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학술저널
저자정보
김소윤 (한국해양대학교) 이정복 (한국해양대학교) 안형수 (한국해양대학교) 김경화 (한국해양대학교) 양민 (한국해양대학교)
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제31권 제4호
발행연도
2021.8
수록면
149 - 153 (5page)
DOI
10.6111/JKCGCT.2021.31.4.149

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ε-Ga2O3 박막은 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)에 의해 4H-SiC 기판에 성장되었으며, 결정성은 성장 조건에 따라 평가되었다. ε-Ga2O3의 최적 조건은 665°C의 성장 온도와 200 sccm의 산소 유량에서 성장한 것으로 나타났다.hexagonal 핵이 합쳐지면서 2차원으로 성장되었고, hexagonal 핵의 배열 방향은 기판의 결정 방향과 밀접한 관련이 있었다. 그러나 ε-Ga2O3의 결정 구조는 hexagonal이 아닌 orthorhombic 구조를 가짐을 확인하였다. 결정상 전이는 열처리에 의해 수행되었다. 그리고 상 전이된 β-Ga2O3 박막과 비교하기 위해 4H-SiC에서 β-Ga2O3 박막을 바로 성장하였다. 상 전이된 β-Ga2O3 박막은 바로 성장한 것보다 더 나은 결정성을 보여주었다.

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