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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
박진욱 (인하대학교 전기공학과) 허창수 (인하대학교) 서창수 (인하대학교) 이성우 (인하대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제9호
발행연도
2017.9
수록면
535 - 540 (6page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.9.535

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2017

협대역 고출력 전자기파에 의한 CMOS IC의 전기적 특성 분석
박진욱 ,  허창수 ,  서창수 외 1명 전기전자재료학회논문지 2017.09 학술저널
협대역 고출력 전자기파에 의한 CMOS IC의 민감성 분석
박진욱 전기공학과 2017.01 학위논문

초록· 키워드

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본 연구는 협대역 전자기파가 CMOS IC에 커플링 될 때 나타나는 CMOS IC의 전기적 특성 변화를 분석하였다. 협대역 전자기 소소는 마그네트론(3kW, 2.45Ghz)이 사용되었다. DUT는 CMOS 계열의 로직소자가 사용되었으며 gate의 출력이 ON일 때 진행하였다. IC의 오동작은 gate의 출력 전압의 변동을 감시하여 확인하였다. 실험결과, 전계가 증가함에 따라 IC의 오동작(self-reset), 고장이 발생하였다. 협대역 전자기파에 의한 IC 내부의 전기적 특성 변화를 확인하기 위해서 정상 IC와 전자기파에 노출된 IC의 pin-to-pin 저항(Vcc-GND, Vcc-Input1, Input1-GND), Input capacitance를 측정하였다. 협대역 전자기파에 노출되지 않은 IC의 pin-to-pin 저항은 8.57MΩ(Vcc-GND), 14.14 MΩ(Vcc-Input1), 18.24 MΩ(Input1-GND), 5pF(Input capacitance)을 나타냈다. 협대역 전자기파에 노출된 IC들도 거의 유사한 값을 나타내었으나, 일부 IC에서 2.5Ω 또는 50MΩ, 71pF의 이상값을 나타냈다. 이는 latch-up에 의해 pn접합이 파괴되어 나타난 것으로 사료된다. 반도체 소자 내부 IC 표면의 손상 정도를 확인하기 위해서 Epoxy molding compound를 제거한 후 광학현미경으로 측정하였다. 공통적으로 선로에서 심한 열화가 나타났다. 이는 전자기파에 의해 선로의 전류밀도가 증가하여 선로를 열화 시킨 것으로 사료된다. 본 연구결과는 IC 보호 및 고출력 전자기파의 영향 분석의 기초 자료로 사용될 것으로 판단된다.
#Narrow-band electromagnetic radiation #CMOS logic IC #Electrical properties analysis #Microscopic analysis

목차

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M.G. Backstrom / 2004 / Susceptibility of Electronic Systems to High-Power Microwaves: Summary of Test Experience / IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 46(3):396~403 Crossref 2005 / Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 2-13: Environment - High-power electromagnetic (HPEM) environments - Radiated and conducted, IEC 61000-2-13 :40 google schola 허창수 / 2016 / 협대역 고출력 전자기파로 인한 CMOS IC에서의 오동작 특성 연구 / 전기전자재료학회논문지 29(9):559~564 dbpia IEC 62132-4 Ed.1: Integrated Circuits – Measurements of Electromagnetic Immunity, 150 kHz to 1 GHz – Part 4: Direct RF Power Injection Method google schola M. Camp / 2002 / Proc. 2002 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility :87 google schola

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