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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.12
- 수록면
- 757 - 761 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.12.757
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변형률을 가지는 Si/Si 0.55Ge0.45 박막에 존재하는 격자불일치 전위결함의 변형률 측정 및 분석을 하였고 CFTM 방법에 대해 간략하게 기술 하였다. CFTM 방법의 중요한 장점은 언랩핑 절차가 필요 없기 때문에 언랩핑 절차에 의해 발생할 수 있는 오류를 방지 할 수 있다. 본 논문의 결과에 의하면, Si 박막이 계면방향으로 인장응력을 가지고 증착되었고 성장 방향으로는 Si0.55Ge0.45 박막의 격자상수 보다 1.9% 수축되어 있음을 알 수 있다. 또한 Si 박막에 존재하는 격자불일치 전위결함 위치에서 변형률은 잉여 반평면에 의해 격자불일치 전위결함 중심에서 변형률이 최대를 갖고 버거스 벡터 방향으로 exx 는 양의 값을 eyy는 음의 값을 갖는 것을 알 수 있다.
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참고문헌 (12)
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Florian Hüe / 2008 / Direct Mapping of Strain in a Strained Silicon Transistor by High-Resolution Electron Microscopy / Physical Review Letters 100(15):156602
M.J. Hÿtch / 1998 / Quantitative measurement of displacement and strain fields from HREM micrographs / Ultramicroscopy 74(3):131~146
Martin J. Hÿtch / 2003 / Measurement of the displacement field of dislocations to 0.03 Å by electron microscopy / Nature 423(6937):270~273
G. Ade / 1999 / Direct determination of lattice distortions by digital processing of HRTEM images of crystals / Ultramicroscopy 77(3-4):177~185
S.-L. Sahonta / 2009 / Mechanism of compositional modulations in epitaxial InAlN films grown by molecular beam epitaxy / Applied Physics Letters 95(2):021913
M.J. Hÿtch / 1998 / Quantitative measurement of displacement and strain fields from HREM micrographs / Ultramicroscopy 74(3):131~146
Martin J. Hÿtch / 2003 / Measurement of the displacement field of dislocations to 0.03 Å by electron microscopy / Nature 423(6937):270~273
G. Ade / 1999 / Direct determination of lattice distortions by digital processing of HRTEM images of crystals / Ultramicroscopy 77(3-4):177~185
S.-L. Sahonta / 2009 / Mechanism of compositional modulations in epitaxial InAlN films grown by molecular beam epitaxy / Applied Physics Letters 95(2):021913
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