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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이성우 (인하대학교 전기공학과) 허창수 (인하대학교) 서창수 (인하대학교 전기공학과) 진인영 (인하대학교 전기공학과)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제1호
발행연도
2018.1
수록면
1 - 5 (5page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.1.1

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2018

협대역 고출력 전자기파에 의한 포토커플러의 민감성 분석
이성우 전기공학과 2018.01 학위논문
협대역 고출력 전자기파에 의한 포토커플러 영향 분석
이성우 ,  허창수 ,  서창수 외 1명 전기전자재료학회논문지 2018.01 학술저널

초록· 키워드

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본 연구는 협대역 전자기파를 포토커플러와 결합 할 때 포토커플러의 전기적 특성 변화를 분석 하였다. 협대역 전자기 소스로는 마그네트론 (3 kW, 2.45 GHz)이 사용되었다. 피시험기기는 포토커플러 (6N139)이고 입력 신호는 두 가지 유형으로 구분된다. 첫 번째 신호는 사각 펄스이고 두 번째 신호는 0V이다. 포토커플러의 오작동은 포토커플러의 출력 전압 변동을 모니터링 함으로써 확인되었다. 실험의 결과 전기장이 증가함에 따라 오작동이 변경되었다. 오작동 모드에는 지연, 출력 전압 오프 및 변동이 있다. 협대역 전자파에 의한 포토커플러의 전기적 특성을 검증하기 위해 비트 오류를 분석했다. 본 연구의 결과는 고출력 전자기파의 포토 커플러 보호 및 영향 분석의 효과 분석을 위한 기본 데이터로 사용될 수 있다.
#Narrow-band electromagnetic radiation #Photocoupler #Electrical properties analysis #Bit errors

목차

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참고문헌 (1)

참고문헌 신청
허창수 / 2016 / 협대역 고출력 전자기파로 인한 CMOS IC에서의 오동작 특성 연구 / 전기전자재료학회논문지 29(9):559~564 dbpia

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