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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김도영 (울산과학대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제5호
발행연도
2018.7
수록면
320 - 323 (4page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.5.320

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SiGe 박막을 평가하기 위하여 우리는 Si 원료로 SiH4와 SiCl4를 사용하고 Ge 원료로 GeCl4를 사용하여 400 ˚C에서 원격 플라즈마 화학기상증착법을 이용하였다. 박막의 성장속도와 박막의 결정성은 각각 주사 전자 현미경과 라만 분광법을 이용하였다. SiGe 박막의 광학적, 전기적 평가는 SiCl4와 SiH4 원료에 따라 각각 비교적으로 연구되었다. SiCl4 원료에 의해서 증착된 SiGe 박막은 SiH4 원료를 이용하여 증착된 SiGe 박막에 비하여 낮은 성장속도와 높은 결정화도를 나타냈다. 자외선-가시광선 분광법은 SiGe의 광학적 밴드갭이 0.88에서 1.22eV까지 범위에서 변한다는 것을 확인하였다.

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