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자료유형
학술저널
저자정보
조재웅 (성균관대학교(자연과학캠퍼스)) 김태용 (성균관대학교) 최지원 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 최자양 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 신동욱 (성균관대학교) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제34권 제5호
발행연도
2021.9
수록면
296 - 300 (5page)

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The performance of devices has been improved with fine processes from planar to three-dimensional transistors (e.g., FinFET, NWFET, and MBCFET). There are some problems such as a short channel effect or a self-heating effect occur due to the reduction of the gate-channel length by miniaturization. To solve these problems, we compare and analyze the electrical and thermal characteristics of FinFET and GAAFET devices that are currently used and expected to be further developed in the future. In addition, the optimal structure according to the Fin shape was investigated. GAAFET is a suitable device for use in a smaller scale process than the currently used, because it shows superior electrical and thermal resistance characteristics compared to FinFET. Since there are pros and cons in process difficulty and device characteristics depending on the channel formation structure of GAAFET, we expect a mass-production of fine processes over 5 nm through structural optimization is feasible.
#FinFET #GAAFET #Thermal resistance #DIBL #Self-heating effect

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참고문헌 (1)

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명일호 / 2017 / Analysis of Self Heating Effect(SHE) according to Buried Oxide Thickness in SOI Nanowire FET / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 17(5):685~690 google schola

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