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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
이상렬 (청주대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제3호
발행연도
2017.6
수록면
141 - 143 (3page)
DOI
https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.3.141

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Novel structured thin film transistors (TFTs) of amorphous silicon zinc tin oxide (a-SZTO) were designed andfabricated with a thin metal layer between the source and drain electrodes. A SZTO channel was annealed at 500℃. A Ti/Au electrode was used on the SZTO channel. Metals are deposited between the source and drain in this novelstructured TFTs. The mobility of the was improved from 14.77 cm2/Vs to 35.59 cm2/Vs simply by adopting the novelstructure without changing any other processing parameters, such as annealing condition, sputtering power orprocessing pressure. In addition, stability was improved under the positive bias thermal stress and negative biasthermal stress applied to the novel structured TFTs. Finally, this novel structured TFT was observed to be less affectedby back-channel effect.

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