TFT Structure Simulation with Various High K Dielectric Materials for Non-volatile Memory Device

Keka Mukhopadhyaya; P. Srividya

doi:10.1007/s42341-023-00502-3

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자료유형: 학술저널

저자정보: Keka Mukhopadhyaya (RV College of Engineering) P. Srividya (RV College of Engineering)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials Vol.25 No.3

발행연도: 2024.6

수록면: 255 - 264 (10page)

DOI: 10.1007/s42341-023-00502-3

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In this rapidly growing and changing world of electronics industry it is very critical to have precise model and simulation for device. This paper presents the work on simulating the performance of thin fi lm transistors (TFT) structure with diff erent high K dielectric materials and source drain materials. TFT structure plays an important role in the TFT performance and this paper compares the I D –V D and I D –V G , threshold voltage (V T ), subthreshold swing and on and off current (Ion/Ioff ) of the TFT. Further, for a bottom gate staggered confi guration, the eff ect of diff erent materials as Source and Drain as well as the eff ect of dielectric strength on the tunneling layer of the TFT is studied to evaluate its suitability for applications like non-volatile memory. The eff ect of temperature on diff erent performance characteristics of the bottom gate TFT structure like threshold voltage, sub-threshold swing, on–off current ratio are also analysed.

#TFT structure #TCAD device simulation #High K dielectric material #Tunneling layer #Operating temperature

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