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저자정보
Bang Kyuhyun (Yonsei University) Chee Sang-Soo (Gwangju Institute of Science and Technology) Kim Kangmi (Gwangju Institute of Science and Technology) Son Myungwoo (Gwangju Institute of Science and Technology) Jang Hanbyeol (Gwangju Institute of Science and Technology) Lee Byoung Hun (Gwangju Institute of Science and Technology) 백광현 (홍익대학교) Myoung Jae-Min (Yonsei University) Ham Moon-Ho (Gwangju Institute of Science and Technology)
저널정보
나노기술연구협의회 Nano Convergence Nano Convergence Vol.5 No.7
발행연도
2018.3
수록면
1 - 7 (7page)
DOI
10.1186/s40580-018-0139-0

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There has been growing interest in developing nanoelectronic devices based on graphene because of its superior electrical properties. In particular, patterning graphene into a nanoribbon can open a bandgap that can be tuned by changing the ribbon width, imparting semiconducting properties. In this study, we report the effect of ribbon width on electrical transport properties of graphene nanoribbons (GNRs). Monolayer graphene sheets and Si nanowires (NWs) were prepared by chemical vapor deposition and a combination of nanosphere lithography and metal-assisted electroless etching from a Si wafer, respectively. Back-gated GNR field-effect transistors were fabricated on a heavily p-doped Si substrate coated with a 300 nm-thick SiO2 layer, by O2 reactive ion etching of graphene sheets using etch masks based on Si NWs aligned on the graphene between the two electrodes by a dielectrophoresis method. This resulted in GNRs with various widths in a highly controllable manner, where the on/off current ratio was inversely proportional to ribbon width. The field-effect mobility decreased with decreasing GNR widths due to carrier scattering at the GNR edges. These results demonstrate the formation of a bandgap in GNRs due to enhanced carrier confinement in the transverse direction and edge effects when the GNR width is reduced.
#Graphene Graphene nanoribbon Si nanowire Electrical transport

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K. S. Novoselov / 2004 / Science 306:666 google schola F. Schwierz / 2011 / Nature 472:41 google schola A. K. Geim / 2007 / Nat. Mater 6:183 google schola G. Eda / 2008 / Nat. Nanotechnol 3:270 google schola K. I. Bolotin / 2008 / Solid State Commun 146:351 google schola

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