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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
문수영 (광운대학교 전자재료공학과) 김민영 (광운대학교 전자재료공학과) 변동욱 (광운대학교 전자재료공학과) 이건희 (극동대학교) 구상모 (광운대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제36권 제2호
발행연도
2023.3
수록면
170 - 174 (5page)

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Nickel oxide is a nonstoichiometric transparent conductive oxide with p-type conductivity, a wide-band energy gap of 3.4~4.0 eV, and excellent chemical stability, making it a very important candidate as a material for bipolar devices. P-type conductivity in Transparent Conductive Oxides (TCO) is controlled by the oxygen vacancy concentration. During the TCO film deposition process, additional oxygen diffusing into the NiO structure causes the formation of Ni 3p ions and Ni vacancies. This eventually affects the hole concentration of the p-type oxide thin film. In this work, the surface morphology and the electrical characteristics were confirmed in accordance with the annealing atmosphere of the nickel oxide thin film.
#Nickel oxide #RF magnetron sputtering #p-type transparent conductive oxide #4H-SiC #Bipolar device

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