A Study on an Oxygen Vacancy and Conductivity of Oxide Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering and Annealed in a Vacuum

오데레사

doi:https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.1.21

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오데레사 (청주대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제1호

발행연도: 2017.2

수록면: 21 - 24 (4page)

DOI: https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.1.21

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Usually, the oxygen vacancy is an important factor in an oxide semiconductor device because the conductivity isrelated to the oxygen vacancy, which is formed at the interface between oxide semiconductors and electrodes with anannealing processes. ZTO is made by mixing n-type ZnO and p-type SnO2. Zink tin oxide (ZTO), zink oxide (ZnO) andtin oxide (SnO2) thin films deposited by RF magnetron sputtering and annealed, to generate the oxygen vacancy, wereanalyzed by XPS spectra. The contents of oxygen vacancy were the highest in ZTO annealed at 150oC℃, ZnO annealedat 200oC and SnO2 annealed at 100oC. The current was also increased with increasing the oxygen vacancy ions. Thehighest content of ZTO oxygen vacancies was obtained when annealed at 150 ℃. This is the middle level in comparedwith those of ZnO annealed at 200oC and SnO2 annealed at 100oC℃. The electrical properties of ZTO followed those ofSnO2, which acts a an enhancer in the oxide semiconductor.

#ZnO #SnO2 #ZTO #XPS #Oxygen vacancy #O 1s spectra

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Teresa Oh / 2016 / Tunneling condition at high Schottky barrier and ambipolar transfer characteristics in zinc oxide semiconductor thin film transistor / Materials Research Bulletin 77:1~7

Sang Yeol Lee / 2016 / Improvement on the Stability of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using Amorphous Oxide Multilayer Source/Drain Electrodes / Transactions on Electrical and Electronic Materials 17(3):143~145

Takashi Hirao / 2008 / Bottom-Gate Zinc Oxide Thin-Film Transistors (ZnO TFTs) for AM-LCDs / IEEE Transactions on Electron Devices 55(11):3136~3142

J. Maserjian / 1982 / Behavior of the Si/SiO 2 interface observed by Fowler‐Nordheim tunneling / Journal of Applied Physics 53(1):559~567

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