Partial-isolation LDMOS의 항복전압과 온저항 분석

김신욱; 이명진

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김신욱 (Chonnam National University) 이명진 (Chonnam National University)

저널정보: 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제27권 제4호

발행연도: 2023.12

수록면: 200 - 205 (6page)

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본 논문에서는 Partial isolation lateral double diffused metal oxide semiconductor(Pi-LDMOS)의 항복전압에 대해 시뮬레이션을 통해 분석하였다. 항복전압 변화는 Partial buried oxide(P-BOX)의 다양한 파라미터(길이, 두께, 위치)에 따라 조사되었고, 그 메커니즘에 대해 명기하였다. 또한 항복전압과 trade-off 관계에 있는 온저항의 변화를 P-BOX 파라미터 변화에 따라 분석하였고 Figure of merit(FOM)을 계산하여 비교하였다. 제안된 구조에서 Lbox=5μm, tbox=2μm, Lbc=2μm일 경우 138V의 가장 높은 항복전압을 나타내었고, Lbox=5μm, tbox=1.6μm, Lbc=2μm일 경우 가장 높은 FOM을 나타내었다. 이는 conventional LDMOS 대비 항복전압은 123%, FOM은 3.89배 향상된 수치이다. 따라서 Pi-LDMOS는 높은 항복전압과 FOM을 가져 Power IC의 안정적인 동작범위 향상에 기여할 수 있다.

#LDMOS #Pi-LDMOS #P-BOX #Breakdown Voltage #On-resistance #Electric Field

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