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저자정보
Y. Lee (Kyoto University of Advanced Science) S. Avilès (Deep Concept) C. Duchesne (Deep Concept) P. Lasserre (Deep Concept) A. Castellazzi (Kyoto University of Advanced Science)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2023-ECCE Asia
발행연도
2023.5
수록면
45 - 52 (8page)

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This paper presents the design and proof-of-concept demonstration of an integrated silicon carbide MOSFET bi-directional switch, which is a fundamental building block of notable circuit topologies, including the current source inverter and the matrix converter. The focus of this paper is specifically on the device"s usage in current source inversion. The aim is to develop a commercially viable solution for large volume applications that delivers high electro-thermal performance, optimizing the system-level power density and efficiency. Thus, this study deals with electro-magnetic and electro-thermal design aspects for the bi-directional SiC switch to prevent breakage due to parasitic inductance and interconnection resistance. Additionally, the study showcases the system design process for applying the advanced three-phase current source inverter using prototypes.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. MOS-BDS AND ITS OPERATION IN CSI
III. SIC-MOS BDS PROTOTYPE DEVELOPMENT AND TEST
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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