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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2023.5
- 수록면
- 3,193 - 3,199 (7page)
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This work proposes an acquisition concept, allowing measurement of the virtual junction temperature during application-oriented active power cycling tests (PCTs). PCTs are conceptualized with the failure mechanisms of conventional Si-based devices in mind, however, wide-bandgap devices can exhibit parameter inconsistencies like the dynamic ON-state resistance in GaN or the bias temperature instability in SiC. Application-oriented, dynamic active power cycling tests promise more accurate results than conventional quasi-static DC tests, but consistency with conventional accelerated aging tests is difficult to keep, as different parameter acquisition methods must be used. The combination of a novel high-voltage protected current source with a switch node blocking stage enables temperature estimation via the conventional reverse-blocking voltage method to alleviate this challenge. The proposed testbench achieves a time delay in the measurement of the virtual junction temperature of 120 μs in the dynamic PCT of a SiC power MOSFET module.
목차
Abstract
I. Introduction
II. Topologies for Power Cycling Tests
III. Approach and Method
IV. Setup and Results
V. Conclusion
References
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