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In this study, amorphous carbon nitride (a-CN) films were deposited on glass substrates by using the facing target sputtering technique, and the effects of electron beam (e-beam) treatment on the a-CN films were investigated. The results of the XPS and the Raman analysis showed that the e-beam treatment seldom caused any change in bonding structure between the carbon elements. However, the value of [N]/[C+N] decreased from 18.4% to 16.7% after the treatment, and the ratio of double bonded nitrogen (N<sub>d</sub>, =N−) and triple-bonded nitrogen (N<sub>t</sub>, –N<) was also found to have changed. The value of [N<sub>t</sub>]/[N<sub>d</sub> + N<sub>t</sub>] has decreased from 15.6% to 8.2%. From these results, the e-beam treatment is thought to affect strongly the chemical bonding between nitrogen and carbon. The introduction of a high-energy e-beam caused a change from N<sub>t</sub> to N<sub>d</sub>, and some nitrogen components disappeared in the form of N<sub>2</sub> gas. In conclusion, these changes play major roles in the opto-electronic properties of the films.
목차
I. 서론
II. 실험방법
III. 실험결과 및 논의
V. 결론
REFERENCES
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