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본고에서는 프로젝터 전사방식에 기반한 포토리소그래피 기술을 사용, 하드 포토마스크 없이 임의의 위치에 원하는 형태를 패터닝할 수 있는 방법을 소개한다. 이러한 기술을 마이크로/나노 소자 제작에 적용하기 위해 광학현미경에 digital micromirror device모듈 및 자외선 (405 nm 파장) 노광 장치를 구축하였다. 이러한 장비에서 이층구조의 포토레지스트 (PR, photoresist) 및 lift-off 방법을 사용하여 미세패턴을 제작하였다. Lift-off를 위한 언더컷 (under-cut) 구조 생성을 위해 PMGI(polymethylglutarimide) PR과 AZ 5214 PR을 이중으로 사용하였으며 공정 최적화를 통해 이론적 광회절한계수준의 측벽효과가 없는 약 560 nm 선폭 구현이 가능함을 확인하였다. 화학기상증착법으로 랜덤하게 제작된 삼각형 모양의 MoS₂ 단일층 임의 위치에 본 제안방법으로 전극을 제작하여 수 μm 채널 길이의 전계효과 트랜지스터를 구현하였다. 본 연구를 통해 프로젝터 전사기반 포토리소그래피 기술이 연구실 수준 마이크로소자 제작시 고가의 전자빔 리소그래피 기술을 대체할 수 있는 가능성을 확인하였다.
목차
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 실험 및 결과
Ⅲ. 토의 및 결론
REFERENCES
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