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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 발행연도
- 2013
- 저작권
- 숭실대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
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메모리반도체산업이 성장함에 따라 수요와 공급이 큰 폭으로 증가하고 있다. 그 중 플래시 메모리가 스마트폰, 테블릿PC, SoC(System on Chip)산업에 많이 사용되고 있다. 플래시 메모리는 NOR-형 플래시 메모리와 NAND-형 플래시 메모리로 나뉜다. NOR-형 플래시 메모리는 BIST(Built-In Self Test), BISR(Built-In Self Repair), BIRA(Built-In Self Analysis)등 많은 연구가 진행되었지만 NAND-형 플래시 메모리 BIST는 연구가 진행되지 않았다. 현재 NAND-형 플래시 메모리 패턴 테스트는 고가의 외부 테스트 장비를 사용하여 테스트를 수행하고 있다. NAND-형 플래시 메모리에서는 블록단위로 소거, 페이지 단위로 읽기, 쓰기 동작이 가능하기 때문에 자체 내장 테스트가 존재하지 않고 외부장비에 의존하고 있다. 고가의 외부 패턴 테스트 장비에 의존해서 테스트를 수행하던 NAND-형 플래시 메모리를 외부 패턴 테스트 장비 없이 패턴 테스트를 수행할 수 있도록 두 가지의 유한 상태 머신 기반 구조를 갖고 있는 BIST를 제안한다.
목차
목 차국문초록 ⅴ영문초록 ⅵ제 1 장 서론 11.1 연구 배경 및 목적 11.2 논문의 구성 3제 2 장 관련연구 42.1 NAND-형 플래시 메모리 구조 42.2 NAND-형 플래시 메모리 Fault 유형 72.3 NAND-형 플래시 메모리 테스트 패턴 102.4 NAND-형 플래시 메모리 테스트 알고리즘 11제 3 장 본론 133.1 제안하는 NAND-형 플래시 메모리 BIST 구조 133.2 제안하는 NAND-형 플래시 메모리 BIST 동작과정 15제 4 장 실험 224.1 BIST RTL 검증 22제 5 장 결론 25참고문헌 26
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