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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
황필주 김태환 (숭실대학교) 김진완 (숭실대학교) 장훈 (숭실대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제50권 6호
발행연도
2013.6
수록면
122 - 130 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2013

패턴 테스트 가능한 NAND-형 플래시 메모리 내장 자체 테스트
황필주 ,  김태환 ,  김진완 외 1명 전자공학회논문지 2013.06 학술저널
패턴 테스트 가능한 NAND-형 플래시 메모리 내장 자체 테스트
황필주 컴퓨터학과 2013.01 학위논문

초록· 키워드

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메모리반도체산업이 성장함에 따라 수요와 공급이 큰 폭으로 증가하고 있다. 그 중 플래시 메모리가 스마트폰, 테블릿PC, SoC(System on Chip)산업에 많이 사용되고 있다. 플래시 메모리는 NOR-형 플래시 메모리와 NAND-형 플래시 메모리로 나뉜다. NOR-형 플래시 메모리는 BIST(Built-In Self Test), BISR(Built-In Self Repair), BIRA(Built-In Redundancy Analysis)등 많은 연구가 진행되었지만 NAND-형 플래시 메모리 BIST는 연구가 진행되지 않았다. 현재 NAND-형 플래시 메모리 패턴테스트는 고가의 외부 테스트 장비를 사용하여 테스트를 수행하고 있다. NAND-형 플래시 메모리에서는 블록단위로 소거, 페이지 단위로 읽기, 쓰기 동작이 가능하기 때문에 자체 내장 테스트가 존재하지 않고 외부장비에 의존하고 있다. 고가의 외부패턴 테스트 장비에 의존해서 테스트를 수행하던 NAND-형 플래시 메모리를 외부 패턴 테스트 장비 없이 패턴 테스트를 수행할 수 있도록 두 가지의 유한 상태 머신 기반 구조를 갖고 있는 BIST를 제안한다.
#Flash Memory Test #BIST(Built-In Self Test) #Disturbance Fault #Pattern Test

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - M. G. Mohammad / 2000 / Testing Flash Memories / Proceedings of Thirteenth Int'l Conference on VLSI Design : 406 ~ 411 google schola 2. [인터넷자원] - A. Fazio / / Intel Strata Flash Memory Technology Overview google schola 3. [학술대회논문] - Stefano DI CARLO / 2010 / Exploring Modeling and Testing of NAND Flash memories / Test Symposium East-West Design : 47 ~ 50 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - D. Elmhurst / 2003 / A 1.8V 128 Mb 125 MHz Multilevel Cell Flash Memory With Flexible Read While Write / IEEE Journal of Solid State Circuits 38 (11) : 1929 ~ 1933 google schola 5. [학술대회논문] - Tei-Wei Kuo / 2011 / An efficient fault detection algorithm for NAND flash memory / Proc ACM SIGAPP Applied Computing Review 11 (2) google schola

이 논문의 저자 정보

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