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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 장훈
- 발행연도
- 2014
- 저작권
- 숭실대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수3
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최근 스마트폰, 태블릿 PC, SSD(Solid State Drive)의 보급률 증가로 메모리 반도체 산업시장의 규모는 지속적으로 증가하고 있다. 특히 SoC(System on Chip)시장에서 비휘발성 메모리로 플래시 메모리의 수요가 증가하고 있으며, 플래시 메모리는 NOR-형과 NAND-형으로 나누어진다. 또한 NAND-형 플래시 메모리는 저장 가능 bit수에 따라 SLC(Single Level Cell), MLC(Multi Level Cell), TLC(Triple Level Cell)로 구분이 된다. SLC NAND 플래시 메모리는 많은 연구가 진행되었지만 TLC NAND 플래시 메모리는 연구가 진행되지 않고 있다. 또한 NAND-형 플래시 메모리는 고가의 외부장비에 의존하여 테스트를 하고 있다. 따라서 본 논문은 기존에 제안된 SLC NAND 플래시 메모리 테스트 알고리즘을 TLC NAND 플래시 메모리에 맞게 알고리즘과 패턴을 수정하여 적용하고 고가의 외부 테스트 장비 없이 자체 테스트 수행이 가능한 구조를 제안한다.
목차
국문초록 ⅴ영문초록 ⅵ제 1 장 서론1.1 연구 배경 및 목적1.2 논문의 구성제 2 장 관련연구2.1 NAND 플래시 셀 구조2.2 NAND-형 플래시 메모리 구조2.3 NAND-형 플래시 메모리 고장 유형제 3 장 본론3.1 TLC NAND-형 플래시 메모리 고장 테스트 패턴과 알고리즘3.1.1 TLC NAND-형 테스트 패턴3.1.2 TLC NAND-형 March 테스트 알고리즘3.2 제안하는 MBIST 구조3.3 TLC NAND-March(p) 알고리즘의 FSM 구성제 4 장 실험4.1 제안하는 Memory BIST 정상동작 시뮬레이션4.2 제안하는 Memory BIST 결함 발견 동작 시뮬레이션제 5 장 결론참고문헌
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