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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

김문성 (부산대학교, 부산대학교 대학원)

지도교수
정해도
발행연도
2015
저작권
부산대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수3

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

초록· 키워드

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Slurry used for polishing semiconductors processed by exchange, pressurization, and multi-step feeding has been studied to investigate the effect of the size and shape of slurry particles on the oxide CMP removal rate. First, spherical colloidal silica was prepared by the ion exchange method. The spherical silica particle was used as a seed to grow non-spherical colloidal silica in accordance with the multi-step feeding of silicic acid by the ion exchange and pressurization methods. The oxide removal rate of both non-spherical colloidal silica slurry and commercially available slurry were compared with increasing average particle size in the oxide CMP. The more alkaline the pH level of the non-spherical colloidal silica slurry, the higher was the removal rate and non-uniformity. Fumed silica was judged that is not free from micro-scratch issue in defect characteristic test due to macro-particle generation by its network formation, but there is no defective difference between fumed silica and colloidal silica because it is already commercialized item. Therefore, when the shape of colloidal silica particle has been transformed into non-spherical colloidal silica particle, it is more effective for oxide CMP than fumed silica and spherical colloidal silica.

목차

1. 서 론 1
1.1 연구 배경 1
1.2 연구 동향 및 목적 5
2. 이론적 배경 8
2.1 CMP 공정의 특징 8
2.2 CMP 공정의 종류 10
2.3 산화막 CMP의 메커니즘 11
2.4 산화막 CMP용 슬러리 14
2.4.1 퓸드 실리카 16
2.4.2 콜로이달 실리카 19
3. 콜로이달 실리카 슬러리 제조 22
3.1 개발배경 22
3.2 콜로이달 실리카 제조방법 27
3.2.1 이론적 제조방법 27
3.2.2 실리카 입자 분석법 30
3.2.3 이온교환법을 이용한 콜로이달 실리카 제조 33
3.2.4 가압방법을 이용한 콜로이달 실리카 제조 37
3.2.5 다단계 주입방법을 이용한 콜로이달 실리카 제조 40
4. 슬러리의 CMP 특성 44
4.1 실험 방법 및 조건 44
4.1.1 실험 조건 및 장치 44
4.1.2 연마율과 연마균일도 측정원리 48
4.2 상용화 슬러리의 연마특성 49
4.3 이온교환법으로 제조한 슬러리의 연마특성 53
4.4 가압방법으로 제조한 슬러리의 연마특성 55
4.5 다단계 주입방법으로 제조한 슬러리의 연마특성 57
4.6 슬러리의 실리콘 웨이퍼 연마특성 60
4.7 슬러리의 결함 특성 실험 64
4.8 결과 및 고찰 70
5. 결 론 75
참고 문헌 77
Abstract 80

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