SU-8 패시베이션을 이용한 솔루션 IZO-TFT의 안정성 향상에 대한 연구 :

김상조

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자료유형: 학위논문

저자정보: 김상조 (부산대학교, 부산대학교 대학원)

발행연도: 2015

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2015

SU-8 패시베이션을 이용한 솔루션 IZO-TFT의안정성 향상에 대한 연구

김상조 , 이문석 전자공학회논문지 2015.07 학술저널

SU-8 패시베이션을 이용한 솔루션 IZO-TFT의 안정성 향상에 대한 연구

김상조 전자전기컴퓨터공학과 2015.01 학위논문

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본 연구에서는 SU-8을 절연층으로 사용해 솔루션 공정을 바탕으로 하여 Indium Zinc Oxide(IZO) thin film transistor(TFT)의 안정성을 향상에 대해 연구하였다. 매우 점성이 강하며 negative lithography 용으로 사용되는 SU-8은 기계적, 화학적으로 높은 안정도를 가진다. 그리고 이 SU-8을 사용해 TFT층의 위에 스핀코팅을 사용해 절연막 층을 쌓고 photo lithography를 이용해 patterning을 하였다. SU-8층에 의한 positive bias stress(PBS)에 대한 전기적 특성 향상의 이유를 연구하기 위해 TFT에 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) 분석을 시행하였다. SU-8을 절연층으로 한 TFT는 좋은 전기적 특성을 보였으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 , 6.43[], 7.1[V], 0.88 [V/dec]로 측정되었다. 그리고 3600초 동안 PBS를 가할 시 Vth는 3.6V로 측정되었다. 그러나 SU-8 층이 없는 경우 Vth는 7.7V 였다. XPS와 FTIR을 분석한 결과, SU-8 절연층이 TFT의 산소의 흡/탈착을 차단하는 특성에 의해 PBS에 강한 특성을 나타나게 함을 확인하였다.

#Passivation #Solution #Oxide-TFT #SU-8

1. 서 론 1
2. 관련 이론 4
2-1 박막 트랜지스터의 구조 및 특성 4
2-1-1 박막 트랜지스터의 구조 4
2-1-2 박막 트랜지스터의 동작원리 5
2-1-3 박막 트랜지스터의 전기적 특성 7
2-1-4 산화물 반도체의 정의 및 특징 11
2-1-5 박막트랜지스터의 주요 연구 주제 20
2-2 용액 공정 22
2-2-1 반도체 용액공정의 종류 22
2-2-2 무기반도체 재료의 Sol-gel 공정 25
2-3 SU-8 Passivation Layer 28
2-3-1 SU-8의 특성 28
3. 실험방법 31
3-1 IZO 용액 제조 31
3-2 IZO TFT의 제작 34
3-2-1 Substrate 34
3-2-2 IZO 채널층 박막증착 36
3-2-3 전극 형성 37
3-2-4 Passivation Layer 증착 38
3-3 IZO TFT의 특성 분석 39
4. 실험결과 41
4-1 IZO TFT 41
4-1-1 FT-IR 분석 41
4-1-2 XPS 분석 42
4-1-3 전기적 특성 분석 43
4-1-4 게이트 전압 바이어스 스트레스 특성분석 45
5. 결 론 48
참고 문헌 50
Abstrct 53

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