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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김상조 (부산대학교) 이문석 (부산대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제52권 7호
발행연도
2015.7
수록면
33 - 39 (7page)

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본 연구에서는 SU-8을 절연층으로 사용해 솔루션 공정을 바탕으로 하여 Indium Zinc Oxide(IZO) thin film transistor(TFT)의 안정성을 향상에 대해 연구하였다. 매우 점성이 강하며 negative lithography 용으로 사용되는 SU-8은 기계적, 화학적으로 높은 안정도를 가진다. 그리고 이 SU-8을 사용해 TFT층의 위에 스핀코팅을 사용해 절연막 층을 쌓고 photo lithography를 이용해 patterning을 하였다. SU-8층에 의한 positive bias stress(PBS)에 대한 전기적 특성 향상의 이유를 연구하기 위해 TFT에 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) 분석을 시행하였다. SU-8을 절연층으로 한 TFT는 좋은 전기적 특성을 보였으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 10<SUP>6</SUP>, 6.43cm²/V·s, 7.1V, 0.88V/dec로 측정되었다. 그리고 3600초 동안 PBS를 가할 시 ΔV<SUB>th</SUB>는 3.6V로 측정되었다. 그러나 SU-8 층이 없는 경우 ΔV<SUB>th</SUB>는 7.7V 였다. XPS와 FTIR을 분석한 결과, SU-8 절연층이 TFT의 산소의 흡/탈착을 차단하는 특성에 의해 PBS에 강한 특성을 나타나게 함을 확인하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
REFERENCES

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