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논문 기본 정보

자료유형
학위논문
저자정보

Asif Ali (명지대학교, 명지대학교 대학원)

지도교수
Cho Ilhwan
발행연도
2017
저작권
명지대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.

이용수2

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2017

Investigation of Junction-less Tunneling Field Effect Transistor (JL-TFET) with Floating Gate
Asif Ali ,  Dongsun Seo ,  Il Hwan Cho JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2017.02 학술저널
Investigation of Junction-less Tunneling Field Effect Transistor with Floating Gate
Asif Ali 일반 2017.01 학위논문

초록· 키워드

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지속적인 트랜지스터 밀도의 스케일이 테라 스케일 레짐에 가까워지면서 새로운 장치의 평가가 밀도 스케일링 이외의 비용 절감, 성능 향상 및 에너지 효율성과 같은 몇몇의 측정법들이 요구 된다. 또한 제조의 제한은 장치 제조 적합성을 얻어야 하는 것을 고려해야 한다. 이 논문에서는 새롭게 소스 영역 위에 플로팅 게이트를 이용한 무접합 터널링 트랜지스터(JL-TFET) 구조를 제시한다. 금속 게이트를 제거하고 대신에 플로팅 게이트를 도입하면 제조 공정의 제한이 줄어든다. 제안한 구조는 고농도로 도핑된 N 타입 채널을 갖는 무접합 트랜지스터다(JLFET). 소스영역 위의 플로팅 게이트와 채널 영역 위의 최적화된 금속 일 함수를 갖는 컨트롤 게이트는 터널 트랜지스터 (TFET) 처럼 동작하도록 만든다. High-k 유전체와 채널의 길이가 20nm인 이 구조의 ID-VGS 특성, ION/IOFF 비율, SS 및 평균 SS를 조사 하였다. 게이트 유전물질로 TiO2 를 사용 했을 때 SS는 25mV/decade 평균 SS는 80mV/decade 그리고 ION/IOFF 비율은 7.8×109 A/μm 측정 되었다. 제안된 JL-TFET은 덜 복잡한 제조 공정과 스위칭 성능이 향상된 구조이다.
#Tunneling field effect transistor #junction-less field effect transistor #band to band tunneling #floating gate #high-k dielectric #work function

목차

List of Figures……………………………………………………………………………… iii
List of Tables………………………………………………………….................. iv
Abstract………………………………………………………………............... v
Chapter 1. Introduction………………………………………………………………… 1
1.1. History and Background ……………………………………………………………… 1
1.2. Limitation of Conventional MOSFET………………………………………………........ 2
1.3. Scaling of Transistors……………………………………………………………………. 3
1.4. Dissertation Objectives and Motivation ………………………………………………..... 6
Chapter 2. Tunneling Field Effect Transistor (TFET)………………………………… 9
2.1. Introduction ……………………………………………………………………………… 9
2.2. Device Structure……………………………………………………………………… 10
2.3. Device operation principle……………………………………………………………… 11
2.4. Subthreshold Swing (SS) of TFETs………………………………………………… 13
2.5. Device performance characteristics…………………………………………………….. 15
Chapter 3. Junction-Less Field Effect Transistor (JL-FET)………………………… 20
3.1. Introduction…………………………………………………………………………….. 20
3.2. Device structure and operation principle...…………………………………………… 21
3.3. Device performance characteristics…………………………………………………….. 23
Chapter 4. Junction-Less Tunneling Field Effect Transistor (JL-TFET)…………… 27
4.1. Introduction…………………………………………………………………………….. 27
4.2. Device structure………………………………………………………………………. 28
4.3. Device operation principle……………………………………………………………. 29
4.4. Output characteristics and performance………………………………………………. 30
Chapter 5. Junction-Less Tunneling Field Effect Transistor (JL-TFET) with a Floating Gate…………………………………………………………………………………………. 33
5.1. Introduction…………………………………………………………………………….. 33
5.2. Device Structure………………………………………………………………………. 35
5.3. Device Operation Principle…………………………………………………………. 35
5.4. Results and Discussions………………………………………………………………… 37
Chapter 6. Conclusion...……………………………………...…………………………… 44
Bibliography……………………………………………………………………………….. 46
Korean Abstract……….…………………………………………………………………… 51

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