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이용수8
요약 . ⅰ목차 . ⅲ표 목록 ⅴ그림 목록 . ⅵⅠ. 서론 1Ⅱ. 이론적 배경 . 32.1 재료에 따른 단결정 성장 . 32.1.1 사파이어/실리콘(Sapphire/Silicon) . 32.1.2 탄화규소(Silicon Carbide) . 42.2 SiC 단결정 성장법 . 62.2.1 물리적 기상 승화법(Physical Vapor Transport) 62.2.2 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) . 82.2.3 상부 종자 용액 성장법(Top-Seeded Solution Growth) . 92.3 SiC 종자정 탈착 문제 . 11Ⅲ. 실험 방법 133.1 만능 재료 시험기(Universal Testing Machine) 133.1.1 3점 굽힘시험법(3-point bending test) 143.1.2 흑연 샘플 준비 143.2 복합모드꺾임시험(Mixed Mode Flexure) 153.2.1 SiC-흑연 접합 샘플 준비 . 173.2.2 Carbon paste 접합 183.2.3 Carbon paste + Photoresist 접합 . 193.2.4 Photoresist 접합 193.3 분석 방법 213.3.1 라만 분광법(Raman Spectroscopy) 213.3.2 엑스선 광전자 분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy) 223.3.3 엑스선 전산화 단층 촬영(X-ray Computed Tomography) . 243.3.4 Image Processing Software(PicMan) . 253.3.5 고분해능 엑스선 회절 분석 시스템(High Resolution X-ray Diffractometer) 263.4 성장 실험 준비 . 283.4.1 샤프트, 도가니, 원료 준비 283.4.2 유도 가열 성장 장치 303.4.3 성장 조건 31Ⅳ. 결과 및 고찰 . 324.1 3점 굽힘 시험법 결과 . 324.2 복합모드꺾임시험을 통한 접합특성 결과 334.2.1 Carbon paste 접합특성 결과 . 334.2.2 Carbon paste + Photoresist 접합특성 결과 354.2.3 Photoresist 접합특성 결과 364.3 분석 결과 374.3.1 라만 분광법 결과 374.3.2 엑스선 광전자 분광법 결과 394.3.3 엑스선 전산화 단층 촬영 결과 404.3.4 Image Processing Software(PicMan) 결과 . 424.4 성장 실험 결과 . 444.4.1 고분해능 엑스선 회절 분석 시스템 결과 . 44Ⅴ. 결론 47References . 49영문초록(Abstract) 51
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