Planar MOSFET에서 측정을 통한 기생 커패시턴스 추출 방법

전상빈 ,  유성원 ,  고형우 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

Capacitance-Voltage 방법을 이용한 MOSFET의 유효 채널 길이 추출

김용구 ,  지희환 ,  박성형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

A Unified Capacitance-Voltage Model of MOSFET

Kwang Myoung Rho ,  Kwy Ro Lee

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

MOSFET 트랜지스터의 CV 측정오차 해석 및 정확도 개선에 관한 연구

이원정 ,  김윤곤 ,  김상기 외 3명

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2010 .05

Analysis on Capacitance Characteristics in FE-GAA MOSFET

Kitae Lee ,  Sihyun Kim ,  Munhyeon Kim 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2019 .06

Accuracy Analysis of Extraction Methods for Effective Channel Length in Deep-Submicron MOSFETs

Ju-Young Kim ,  Min-Kwon Choi ,  Seonghea 외 1명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2011 .06

Dynamic characteristics for Double Gate MOSFET

고석웅 ,  정학기

한국정보통신학회논문지

2005 .12

위상학적 절연체 내 음의 양자 정전용량을 활용한 저전력 반도체 소자 구현에 관한 이론 연구

최현우 ,  신창환

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

전력 MOSFET

崔然益

전기의세계

1985 .05

전력 MOSFET용 멀티 게이트 구동 회로 연구

김기현 ,  김형우 ,  이경호 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2017 .07

Gate-Bias-Dependences of MOSFET Model Parameters Extracted from S-Parameters

Seong Hea ,  n Lee ,  Hyun Kyu Yu

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

초고속 동작을 위한 더블 게이트 MOSFET 특성 분석

정학기 ,  김재홍

한국정보통신학회논문지

2003 .04

New SPICE Modeling for Bias-Dependent Gate-Drain Overlap Capacitance in RF MOSFETs

Sangjun Lee ,  Seonghea ,  n Lee

전자공학회논문지

2015 .04

SOI MOSFET의 정전류 특성에 대한 후면 Bias의 영향 ( An Effect of Back-Gate Bias on Static Current Characteristics in SOI-MOSFET )

강재경 ,  박재홍 ,  김철주

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

SOI MOSFET의 정전류 특성에 대한 후면 Bias의 영향

강재경 ,  박재홍 ,  김철주

대한전자공학회 학술대회

1993 .07

MOSFET 드레인-소스 캐패시턴스의 게이트 전압 종속 RF 데이터 추출

홍서영 ,  이성현

대한전자공학회 학술대회

2014 .06

나노 스케일 벌크 MOSFET을 위한 새로운 RF 엠피리컬 비선형 모델링

이성현

전자공학회논문지-SD

2006 .12

게이트전압에 따른 나노구조 이중게이트 MOSFET의 터널링전류 변화

정학기

한국정보통신학회논문지

2007 .05

차세대 sub-0.1μm급 MOSFET 소자용 고유전율 게이트 박막

황현상

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

P-채널 MOSFET에서 게이트와 기판 전류의 시간에 따른 복원 특성

조상운 ,  장원수 ,  배지철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07