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기존의 BSIM4 모델과 다이오드를 사용한 BSIM4 Macro 모델의 바이어스 종속 게이트-드레인 오버렙 캐패시턴스 C<SUB>gdo</SUB> 시뮬레이션의 부정확성에 대하여 자세히 분석하였다. 이러한 Macro 모델은 기존의 BSIM4 모델보다 더 정확하지만 선형영역에서 사용될 수 없음을 발견하였다. 기존 모델들의 부정확성을 제거하기 위해서 물리적인 바이어스 종속 C<SUB>gdo</SUB> 모델 방정식을 사용한 새로운 BSIM4 Macro 모델을 제안하였고 전체 바이어스 영역에서 유효함을 입증하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Modeling and Analysis
Ⅲ. Conclusions
REFERENCES
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - 차지용 / 2008 / MOSFET의 RF 성능 최적화를 위한 단위 게이트 Finger 폭에 대한 fT 및 fmax의 종속데이터 분석 / 전자공학회논문지 - SD 45 (9) : 21 ~ 25
2. [기타자료] - / 2013 / BSIM4.8.0 MOSFET Model Manual
3. [학술지(정기간행물)] - Seong-Hearn Lee / 2002 / Large-Signal MOSFET Modeling and Parameter Extraction for High-Frequency IC Design / Telecommunications Review 12 (1) : 130 ~ 137
4. [학술지(정기간행물)] - 김주영 / 2012 / A “Thru-Short-Open” De-embedding Method for Accurate On-Wafer RF Measurements of Nano-Scale MOSFETs / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 12 (1) : 53 ~ 58
5. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2005 / Accurate RF extraction method for resistances and inductances of sub-0.1㎛ CMOS transistors / Electron. Lett. 41 (24) : 1325 ~ 1327
2. [기타자료] - / 2013 / BSIM4.8.0 MOSFET Model Manual
3. [학술지(정기간행물)] - Seong-Hearn Lee / 2002 / Large-Signal MOSFET Modeling and Parameter Extraction for High-Frequency IC Design / Telecommunications Review 12 (1) : 130 ~ 137
4. [학술지(정기간행물)] - 김주영 / 2012 / A “Thru-Short-Open” De-embedding Method for Accurate On-Wafer RF Measurements of Nano-Scale MOSFETs / JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 12 (1) : 53 ~ 58
5. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2005 / Accurate RF extraction method for resistances and inductances of sub-0.1㎛ CMOS transistors / Electron. Lett. 41 (24) : 1325 ~ 1327
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