플라즈마 식각 공정이 N2O 산화막과 순수한 산화막을 갖는 MOS 소자 특성에 미치는 영향에 관한 연구 ( A Study on the Effect of Plasma Etching Process on the Characteristics of MOS Devices with N2O and Pure Gate Oxides )

윤재석; 이상돈; 김봉렬

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자료유형: 학술저널

저자정보: 윤재석 이상돈 김봉렬

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-A 전자공학회논문지 A편 제33권 제9호

발행연도: 1996.9

수록면: 1,832 - 1,838 (7page)

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