PMOS에 적합한 Mo 전극의 전기적 화학적 안정성

노영진; 이충근; 홍신남

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자료유형: 학술저널

저자정보: 노영진 이충근 홍신남

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제4호

발행연도: 2004.4

수록면: 311 - 316 (6page)

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본 논문에서는 Mo을 PMOS의 금속 게이트로 사용하였을 때의 Mo의 특성에 대해서 연구하였다. Mo을 게이트 물질로 사용한 MOS 커패시터를 제작하였고, 소자의 C-V 특성 곡선으로부터 일함수를 추출하였다. 그 결과 Mo 게이트는 PMOS에 적합한 일함수를 나타내는 것을 알 수 있었다. Mo의 전기적/화학적 안정성을 검증하기 위해서 600, 700, 800 그리고 900℃에서 급속열처리를 수행하였으며 열처리 이후 유효 산화막의 두께와 일함수의 변화를 살펴보았다. 또한 900℃ 열처리 이후의 XRD 분석을 통해서 Mo 금속 게이트가 SiO₂에 대해서 안정하다는 것을 확인하였다. 4점 탐침기로 측정한 Mo 금속 게이트의 면저항은 10 Ω/□ 미만으로 폴리 실리콘에 비해서 매우 작은 값을 나타냈다.

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[학술지(정기간행물)] - H. Zhong / 2001. / Properties of Ru-Ta allo ys as gate electrodes for NMOS and PMOS silic on devices : 467 ~

[학술지(정기간행물)] - H. Iwai / 2000. / Problems and solutions for downsizing CMOS below 0.1㎛ : 1 ~

[학술지(정기간행물)] - C. H. Choi, / 2002. / Dopant profile and gate geometric effects on polysilicon gate depletion in scaled MOS 49 (7) : 1227 ~

[학술지(정기간행물)] - V. Misra, / 2001. / Use of metal-oxide-semiconductor capacitors to detect interactions of Hf and Zr gate electrodes with SiO2 and ZrO2 78 (26) : 4166 ~

[학술지(정기간행물)] - R. Lin / 2002. / An adjustable work function technology using Mo gate for CMOS devies 23 (1) : 49 ~

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