포켓 이온주입으로 비균질 채널도핑을 갖는 MOSFET소자의 드레인 전류 해석 ( Analysis of the Drain Current in Nonuniformly Doped Channel ( NUDC ) MOSFET's due to Pocket Ion Implantation )

구회우; 박주석; 이기영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 구회우 박주석 이기영

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-D 전자공학회논문지 D편 제36권 제9호

발행연도: 1999.9

수록면: 21 - 30 (10page)

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