Halo 구조의 MOSFET에서 이동도 감소 현상

이병헌; 이기영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이병헌 이기영

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제4호

발행연도: 2005.4

수록면: 1 - 8 (8page)

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소오스와 드레인 근처에 포켓이온이 주입된 halo구조의 MOSFET에서 전송자의 이동도 감소는 포켓이온주입의 조건에 따라 이온화된 불순물의 증가에 따른 쿨롱(Coulomb)산란율의 증가에 의한 이동도의 감소량보다 큰 이동도의 감소가 관측될 수 있다. 게이트 바이어스에 대한 이동도의 특성변화도 기존의 일차적인 쿨롱산란의 증가효과에 의한 해석과 비교하여 상이한 결과가 나타날 수 있음이 실험적으로 확인되고 있다. 본 연구에서는 포켓이온 주입에 의하여 쿨롱산란원이 되는 유효불순물 농도의 증가에 따른 일차적인 이동도의 감소효과를 벗어난 이동도 특성을 분석하여 이동도의 감소현상을 일반적으로 설명할 수 있는 개선된 해석적 모델을 제시하였다. 해석적인 결과를 도출하기 위하여 일차원 영역구분의 근사방법을 적용한 결과, 포켓이온 주입에 의하여 포논산란율 및 표면산란율(surface roughness scattering rate)의 증가도 이동도감소에 기여함이 보여 졌다. 채널의 전송자분포가 드레인 전류에 영향을 미치게 되므로 포켓이온에 의해 유발된 전송자분포의 효과를 분석하여 유효이동도가 추가적으로 감소함을 확인하였다.

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[학술지(정기간행물)] - B.Yu / 1997. / Short Channel Effect Improved by Lateral Channel Engineering in Deep-Submicronmeter MOSFETs : 627 ~ 633

[학술지(정기간행물)] - R. Gwoziecki / 1999. / Optimization of Vth Roll-off in MOSFETs with Advanced Channel Architecture -Retrograde Doping and Pockets : 1551 ~ 1561

[학술지(정기간행물)] - N. Miura / 2001. / Junction Capacitance Reduction due to Self-Aligned Pocket Implantation in Elevated Source/Drain NMOSFETs : 1969 ~ 1974

[학술지(정기간행물)] - R. Rios / 2002. / A Three- Transistor Threshold Voltage Model for Halo Processes : 113 ~ 116

[학술지(정기간행물)] - Hoewoo Koo / 2003. / Analysis of the Anomalous Drain Current Characteristics of Halo MOSFETs : 99 ~ 106

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